采用低导通电阻元胞结构 红旗新能源碳化硅功率芯片完成首次流片
日前，由红旗研发总院新能源开发院功率电子开发部自主设计的碳化硅功率芯片完成首次流片。标志着红旗研发已初步建立支撑高性能电动汽车开发的碳化硅功率芯片设计能力，并成功将半导体行业的Fabless(无晶圆厂)合作模式引入汽车产品开发实践。
据介绍，该款碳化硅功率芯片从产品核心指标定义、衬底与外延材料选择、元胞结构设计、动静态性能仿真、工艺仿真、版图设计、晶圆流片到晶圆封测，实现全链条主导开发，标志着红旗车规级碳化硅功率芯片开发能力大幅提升。
该款芯片聚焦整车电驱动、智慧补能、车载电源、高压配电、电动化底盘等系统应用需求，创新采用低导通电阻元胞结构、高元胞密度版图、高可靠性终端结构及片上栅极电阻集成技术，实现击穿电压超过1200V，导通电阻小于15mΩ。
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